元素符号:硼靶材 Boron
CAS:[不适用]
型号:Sup-B
纯度:4N
形状:圆形,方形
厚度:(可定制)
直径:(可定制)
(注:纯度、形状、厚度和尺寸均可定制)
硼靶材(Boron Target)是一种用于薄膜沉积的关键材料,广泛应用于半导体和光电领域。作为掺杂剂,硼靶材在硅(Si)和锗(Ge)等半导体材料中显著提高了电导率和性能。它适用于磁控溅射和化学气相沉积(CVD)等技术,帮助制造高性能的薄膜和新型材料。探索我们的高纯度硼靶材,满足您的先进电子器件和材料研发需求。
产品详情:
硼靶材(Boron Target)是一种用于薄膜沉积的材料,广泛应用于半导体、光电和材料科学领域。其主要功能是作为掺杂剂和薄膜生长源,帮助改善半导体材料的电学性能和制造高性能薄膜。
Purity (%) | Shape | Manufacturing process | Max. Size |
99.99% | Plane target, Custom-shaped target | Vacuum Melting | Customized |
#### 物理化学性质
- 外观:硼靶材通常呈现为固体块状或靶片,具有较高的纯度。
- 熔点:硼的熔点较高,约为 2075 °C,使其在高温生产过程中保持稳定。
- 导电性:作为掺杂剂,硼能够显著调节半导体的电导率。
#### 应用
硼靶材的主要应用包括:
1. 掺杂剂:
- 硼用于硅(Si)和锗(Ge)等半导体材料的掺杂,改善其电导率和性能。
2. 薄膜沉积:
- 在磁控溅射和化学气相沉积等技术中,硼靶材用于制造高性能的硼掺杂薄膜。
3. 新型材料研发:
- 硼靶材也用于开发氮化硼(BN)等新型半导体材料,展现出优越的光电性能。
#### 总结
硼靶材因其优异的物理化学性质,在半导体和光电领域展现出广泛的应用潜力,支持高性能电子器件的研发与制造。
联系人:Bruce Liu
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