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  • 碳化钨靶材  Tungsten Carbide, WC
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碳化钨靶材  Tungsten Carbide, WC碳化钨靶材  Tungsten Carbide, WC

碳化钨靶材 Tungsten Carbide, WC

碳化钨 (WC) 靶材是用于薄膜沉积工艺的高性能溅射靶材。其卓越的硬度、耐磨性和高熔点使其成为在各种应用(包括半导体制造)中创建耐用且高质量涂层的理想选择。

碳化钨靶材 (Tungsten Carbide, WC) 是一种重要的硬质合金材料,广泛应用于半导体、机械加工和工具制造等领域。其高硬度、耐磨性和耐腐蚀性使其成为制造各种高性能部件的理想选择。

物理化学性质:

* 外观: 通常为灰色或黑色金属陶瓷,具有良好的致密度和均匀性。

* 硬度:  具有极高的硬度,仅次于金刚石。

* 密度:  密度较高,约为15 g/cm³。

* 熔点:  熔点极高,约为2870 °C。

* 耐磨性:  具有优异的耐磨性,可承受高强度摩擦。

* 耐腐蚀性:  具有良好的耐腐蚀性,可抵抗多种化学物质的腐蚀。

应用:

1. 薄膜沉积:  在物理气相沉积 (PVD) 和化学气相沉积 (CVD) 等技术中,碳化钨靶材用于制造高质量的硬质薄膜,增强半导体器件的耐磨性和耐腐蚀性。

2. 切削工具:  碳化钨靶材可用于制造各种切削工具,例如铣刀、钻头等,广泛应用于半导体制造中的精密加工。

3. 模具:  碳化钨的高硬度和耐磨性使其成为制造精密模具的理想材料。

4. 耐磨部件:  碳化钨靶材也可用于制造各种耐磨部件,例如喷嘴、阀门等。

总结: 碳化钨靶材凭借其优异的物理化学性能,在半导体及相关领域具有广泛的应用前景,是高性能器件制造的关键材料。


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