元素符号:铌 (Nb)
CAS:[不适用]
型号:Sup-Ta
纯度:4N, 3N
形状:圆形
厚度:(可定制)
直径:(可定制)
(注:纯度、形状、厚度和尺寸均可定制)
钽(Ta)溅射靶用于半导体工业。钽具有多种特性,使其适用于各种半导体应用:
高熔点:钽具有高熔点(约3017°C),这使其在高温过程中保持稳定。
Note: Purity, shape, thickness, and dimensions can all be customized,Please feel free to contact us for more details.
Purity (%) | Shape | Manufacturing process | Max. Size |
99.99%, 99.95% | Plane target, Cylindrical target, Arc target, Custom-shaped target | Vacuum Melting,PM | Customized |
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优异的导电性:钽具有良好的导电性,可用于半导体器件中的互连和其他导电层。
化学稳定性:钽具有高度的耐腐蚀性和抗氧化性,确保了薄膜在半导体应用中的可靠性。
阻挡层:钽通常用作铜互连中的阻挡层,以防止铜扩散到硅中,这对保持器件的完整性和性能至关重要。
电容器:钽通常用于生产钽电容器,钽电容器是各种电子设备中必不可少的组件。
摘要
钽溅射靶在半导体器件的制造中起着重要作用,特别是通过其独特的性能提高性能和可靠性。它们在阻挡层、电容器和导电膜中的应用凸显了它们在现代半导体技术中的重要性。
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