高纯实验室钛硅靶材TiSi

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钛硅靶材是一种由钛 (Ti) 和硅 (Si) 组成的合金靶材，主要用于薄膜沉积技术，特别是物理气相沉积 (PVD) 和溅射工艺。它结合了钛的优良导电性和耐腐蚀性以及硅的半导体特性和热稳定性，使其成为半导体和相关领域中一种重要的薄膜材料。

#### 物理化学性质

* 成分:  钛硅靶材的成分比例可根据具体应用进行调整，以获得所需的性能。常见的钛硅化物包括TiSi₂，Ti₅Si₃等。

* 密度:  密度取决于具体的钛硅化物组成，通常在4-6 g/cm³之间。

* 熔点:  熔点也取决于组成，通常高于钛和硅各自的熔点。

* 导电性:  具有良好的导电性，但低于纯钛。

* 热稳定性:  具有良好的热稳定性，能够承受高温工艺。

* 硬度:  相对较硬，耐磨损。

* 抗腐蚀性:  继承了部分钛的抗腐蚀性，但程度取决于具体组成和环境。

#### 应用领域

* 半导体制造:  用作互连层、接触层和栅极材料，提高集成电路的性能和可靠性。

* 微电子器件:  用于制造各种微电子器件，例如传感器、执行器和存储器。

* 光电器件:  在某些光电器件中用作电极材料或功能层。

* 其他应用:  在一些特殊涂层和材料科学研究中也有应用。