二硅化钨靶材（Tungsten Disilicide, WSi₂）

二硅化钨靶材（Tungsten Disilicide, WSi₂）是一种重要的无机化合物，广泛应用于半导体和微电子领域。由于其优良的电导性和高温稳定性，WSi₂在制造高性能电子器件中扮演着关键角色。

#### 物理化学性质

- 外观：二硅化钨靶材通常呈现为灰色或黑色的固体。

- 熔点：WSi₂的熔点约为 3000 °C，适合在高温环境中使用。

- 密度：其密度约为 6.5 g/cm³，显示出良好的机械性能。

- 导电性：WSi₂具有优良的导电性，适合用于电极和互连材料。

#### 应用

二硅化钨靶材的主要应用包括：

1. 电极材料：

   - 常用于MOSFET等半导体器件的电极，提升电性能和热稳定性。

2. 薄膜沉积：

   - 在物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）中作为靶材，用于制造高质量的金属薄膜。

3. 高温器件：

   - 适合用于高温传感器和功率电子器件，能够在极端环境下保持稳定性。

4. 互连材料：

   - 用于金属互连，降低电流通过时的功耗，提升器件性能。

#### 总结

二硅化钨靶材凭借其优越的物理化学性质，在半导体和微电子领域展现出广泛的应用潜力，是高性能电子器件制造的重要材料。