SKJ-M50-16 金属晶体生长炉

产品名称：高精度紧凑型金属晶体生长炉

产品型号：SUP-SKJ-M50-16

产品描述：SUP-SKJ-M50-16金属晶体生长炉是一种使用布里奇曼技术（坩埚下降法）生长金属晶体的设备。它可以在真空、大气压、惰性气体或其他保护性气氛下以及受控分压条件下运行。
这是一种紧凑型晶体生长炉，适用于高校和研究机构。

产品描述

SUP-SKJ-M50-16金属晶体生长炉是一种使用布里奇曼技术（坩埚下降法）生长金属晶体的装置。它可以在真空、大气压、惰性气体或其他保护性气氛下以及受控分压条件下运行。根据金属的特性，该装置可以采用中频感应加热或石墨电阻加热。欧洲制造的微处理器和热电偶闭环控制系统调节炉温，实现晶体直径的控制。这是一种紧凑型晶体生长炉，适用于高校和研究机构。（特殊技术要求可定制。）

产品特征

它是一种紧凑型晶体生长炉，适用于高校和研究机构。

产品参数

名称	高精度紧凑型金属晶体生长炉
型号	SUP-SKJ-M50-16
安装条件	该设备应在温度为25℃±15℃、湿度为55%Rh±10%Rh的环境中使用。 1.水：该设备包括一个需要净化水或去离子水的自循环冷水机组。 2.电力：需要一个380V AC、50Hz的电源，带63A空气开关和可靠的接地连接。 3.气体：设备室必须充满氩气（纯度99.99%或更高）。需要用户提供的带Ø6mm双卡套接头的氩气瓶。 4.工作台：需要一个尺寸为1500mm×600mm×700mm、承载能力超过200kg的工作台。 5.通风：需要通风系统。
主要参数	1.电源：208-240V交流电，三相，50/60Hz，15kW 2.炉膛容积：约100升 3.炉管：石英或蓝宝石管 4.坩埚：高纯石墨坩埚 5.加热元件：1800级硅钼棒 6.温度控制系统：50段可编程 7.温度控制精度：±1℃ 8.工作温度：1600℃连续，1700℃间歇 9.温度控制方式：自动程序控制 10.生长方法：浮动区（样品静止，炉子向上移动） 11.垂直移动速度：1至10毫米/小时可调 12.快速移动：手动 13.晶体转速：1-50rpm 14.真空系统：机械泵和扩散泵 15.极限真空度：10⁻⁵torr
标准配件	1.电源控制系统（一套） 2.机械控制系统（一套）
可选配件	Kathnal Super-1800级硅钼棒