硅晶体Si

元素符号：Si
CAS：7440-21-3
型号：Sup-Si
形状：晶片、晶圆或者晶锭
厚度：（可定制）
直径：（可定制）
（注：纯度、形状、厚度和尺寸均可定制）

Si 用途：用作半导体材料，大功率晶体管，整流器，太阳能电池等。

主要性能参数
晶体结构	面心立方
熔点（℃）	1420
密度	2.4（g/cm3）
掺杂物质	不掺杂	掺B	掺P
类型	I	P	N
电阻率	>1000Ωcm	10E-3~100Ωcm	10E-3~100Ωcm
E P D	≤100∕cm2	≤100∕cm2	≤100∕cm2
氧含量（∕cm3）	≤1~1.8×10E18	≤1~1.8×10E18	≤1~1.8×10E18
碳含量（∕cm3）	≤5×10E16	≤5×10E16	≤5×10E16
尺寸	10×3m、10×5m、10×10mm、15×15mm, Dia50.8mm,Dia76.2mm,Dia100mm 可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的基片
厚度	0.5mm、1.0mm
尺寸公差	<±0.1mm
厚度公差	<±0.015mm特殊要求可达到<±0.005mm）
抛光	单面或双面
晶面定向精度	±0.5°
边缘定向精度	2°（特殊要求可达到1°以内）
取向	<100>、<110>、<111>等
包装	100级洁净袋，1000级超净室