碳化硅SiC晶体

元素符号：SiC
CAS：409-21-2
型号：Sup-SiC
形状：晶片、晶圆或者晶锭
厚度：（可定制）
直径：（可定制）
（注：纯度、形状、厚度和尺寸均可定制）

碳化硅（SiC）是一种重要的半导体材料，广泛应用于高温、高功率和高频率的电子器件。它由硅和碳元素组成，具有非常高的热导率和化学稳定性。SiC的晶体结构有多种形式，最常见的是立方相（3C-SiC）和六方相（4H-SiC、6H-SiC）。由于其优异的电气特性和耐磨性，碳化硅在光电、功率电子、汽车电子和能源等领域得到了广泛应用。

主要应用领域
1.高频大功率电力电子器件 Schottky diodes 、MOSFET 、JFET 、BJT 、PiN diodes 、IGBT
2.光电子器件：主要应用于GaN/SiC 蓝光LED的衬底材料（GaN/SiC）LED

主要性能参数
生长方法	MOCVD
晶体结构	六方
晶格常数	a=3.07 Å c=15.117 Å
方向	<0001>或<0001>偏4 º
带隙	3.02 eV (间接)
硬度	9.2（mohs）
密度	3.21g/cm3
折射率	no=2.55 ne=2.59
热传导@300K	3 - 5 x 10E6W/ m
介电常数	e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
尺寸	10x10mm，15x15mm， 20x20mm，Dia50.8mm，Dia100mm
厚度	厚度：0.33/0.35mm
抛光	单面或双面
晶向	<0001>±0.5º
晶面定向精度:	±0.5°
边缘定向精度:	2°（特殊要求可达1°以内）
斜切晶片	可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
Ra:	≤5Å（5µm×5µm）
包装	100级洁净袋，1000级超净室