高纯度硅靶材Si 绑定铜背板 磁控溅射材料

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高纯硅靶材是由高纯度单晶硅或多晶硅制成的溅射靶材，其纯度通常达到99.999%甚至更高。高纯度是保证其在半导体应用中性能的关键。硅具有优异的半导体特性，使其成为微电子和光电子工业中不可或缺的材料。

- 物理性质:  高纯硅具有典型的晶体硅结构，硬度较高，脆性较大，熔点高(1414℃)，密度为2.33 g/cm³。其物理性质会受到微量杂质的影响。

- 化学性质:  硅在常温下化学性质稳定，但高温下可与多种元素反应。它能与卤素、氧气等发生反应，形成相应的硅化合物。在半导体制造过程中，需要控制硅的氧化和杂质掺杂。

- 电学性能:  高纯硅是典型的半导体材料，其电导率受温度和掺杂浓度影响显著。通过掺杂不同的杂质，可以将其制成P型或N型半导体。

- 应用领域: 高纯硅靶材主要用于半导体工业，通过物理气相沉积（PVD）技术，例如磁控溅射、电子束蒸发等，沉积高质量的硅薄膜。其应用包括：

    - 集成电路制造:  形成MOSFET、二极管、电阻等器件的关键结构材料。

    - 太阳能电池:  作为光伏电池的光吸收层，提高光电转换效率。

    - MEMS器件:  制造微机电系统中的各种微型结构。

    - 光电子器件:  用于制造光纤、光波导等光学器件。

    - 其他应用:  在一些特殊领域，例如传感器、功率器件等，也有应用。