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  • OTF-1200X-4-RTP-HV 4″高真空RTP炉
OTF-1200X-4-RTP-HV 4″高真空RTP炉

OTF-1200X-4-RTP-HV 4″高真空RTP炉

产品名称:半导体晶片和太阳能电池退火用高真空RTP管式炉

产品型号:OTF-1200X-4-RTP-HV

产品描述:4英寸高真空RTP炉OTF-1200X-4-RTP-HV是一种紧凑型快速热处理管式炉,配备4英寸石英管和高真空系统(机械泵+分子泵)。它是专门为半导体或太阳能电池晶片(最大3英寸)的退火而设计的。

产品描述

4英寸高真空RTP管式炉OTF-1200X-4-RTP-HV是一种紧凑型快速热处理管式炉,配备4英寸石英管和高真空系统(机械泵+分子泵)。它是专门为半导体或太阳能电池晶片(最大3英寸)的退火而设计的。

该机器使用10千瓦的红外灯进行加热,最大加热速率为50°C/s,30段温度控制,精度为±1°C。此外,可以通过RS485端口和控制软件在计算机上实现实时控制和温度曲线显示。


产品特征

1.石英样品架固定在滑动法兰上,使样品装载更容易。

2.将76mm AlN基板放置在样品架上,以支撑需要退火的样品。AlN具有高导热性,在样品放置区域提供优异的温度均匀性(±5°C)。

3.嵌入式热电偶可确保精确的温度测量。

4.采用PID自动温度控制,30段程序,具有过热和断线保护功能。

5.CE认证。


产品参数

名称半导体晶片和太阳能电池退火用高真空RTP管式炉
型号OTF-1200X-4-RTP-HV

安装要求

该设备需要在以下条件下运行:温度25°C±15°C,湿度55%Rh±10%Rh。

1.水:设备配备自循环冷却水机(填充纯化水或去离子水)。

2.用电:交流380V 50Hz(63A空气开关),要求良好接地。

3.气体:设备室需要填充氩气(纯度99.99%或更高);必须提供氩气瓶(带Ø6mm双卡套连接器)。

4.工作台:尺寸1500mm×600mm×700mm,载重量200kg以上。

5.通风系统:必需。

参数

1.电源:炉体单相208V-240V,50Hz/60Hz,10KW;

高真空系统AC 110V/220V可切换,50Hz/60Hz,110W。

2.炉体结构:双层莫来石钢结构。

3.石英管:外径110mm,内径103mm,长度380mm。

4.样品架:76mm。

5.加热元件:8个红外灯灯管,灯丝长度200mm,灯丝直径Ø10mm,灯长300mm。

6.加热区:102mm×305mm,均匀度±5°C。

7.热电偶:K型热电偶。

8.温度:最高温度1100°C,额定温度1000°C;1000°C和1100°C之间的保持时间不得超过600秒。

9.温度控制精度:±0.5°C。

10.最快加热速度:从室温到800°C为50°C/s,从800°C到1000°C为10°C/s。

11.高真空系统抽气时间:2分钟。

12.真空度:6.3×10⁻毫巴(40分钟内)。

13.真空法兰:KF-D25,配备两个高温O型密封圈。

14.流量计:16ml/min-160ml/min。

15.前置泵流量:10mbar、50Hz时为3.8L/min;60Hz时为4.4L/min。

规格

炉体:尺寸760mm×330mm×530mm,重量50kg。

高真空系统:尺寸600mm×600mm×700mm,重量18kg。

RTF Tube Furnance.png

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