RTP-1000-LV3F 带3路浮子混气RTP管式炉

产品名称：半导体晶片和太阳能电池退火用RTP管式炉

产品型号：RTP-1000-LV3F

产品描述：RTP管式炉RTP-1000-LV3F具有三通道流动混合功能，专为退火半导体晶片、太阳能电池和其他样品（高达3英寸）而设计。它配备了三个流量计和一个机械泵。该机器使用9 kW红外灯加热，最大加热速率为100°C/s。它还具有RS485接口，允许通过计算机上的软件进行操作控制和温度曲线显示。

产品描述

RTP管式炉RTP-1000-LV3F具有三通道流动混合功能，专为退火半导体晶片、太阳能电池和其他样品（高达3英寸）而设计。它配备了三个流量计和一个机械泵。该机器使用9 kW红外灯加热，最大加热速率为100°C/s。

它还具有RS485接口，允许通过计算机上的软件进行操作控制和温度曲线显示。

产品特征

1.双层Al2O3纤维钢结构，无需水冷或风冷。

2.内腔表面涂有进口高温氧化铝涂层，提高了加热效率，延长了仪器的使用寿命。

3.PID控制器，可设置30段加热和冷却程序，具有过热保护和断开功能。

4.CE认证。

产品参数

名称	半导体晶片和太阳能电池退火用RTP管式炉
型号	RTP-1000-LV3F
安装要求	该设备需要在以下条件下运行：温度25°C±15°C，湿度55%Rh±10%Rh。 1.水：设备配备自循环冷却水机（填充纯化水或去离子水）。 2.用电：交流380V 50Hz（63A空气开关），要求良好接地。 3.气体：设备室需要填充氩气（纯度99.99%或更高）；必须提供氩气瓶（带Ø6mm双卡套连接器）。 4.工作台：尺寸1500mm×600mm×700mm，载重量200kg以上。 5.通风系统：必需。
主要参数	1.电源：单相208V-240V交流电，50Hz/60Hz，9KW 2.石英管：外径110mm，内径103mm，长度380mm 3.加热元件：红外线灯管，直径Ø10mm，长度300mm 4.加热区：300mm 5.工作温度：最高温度1100℃ 6.温度控制精度：±0.5℃ 7.最大加热速率：从室温到800℃为50℃/s，从800℃到1000℃为10℃/s 8.温度控制器：可控硅整流器（SCR）PID自动控制 9.真空法兰：不锈钢，带水冷接口和针阀，双层高温O型圈密封；在>900℃的温度下运行时必须使用水冷，循环水流量为0.5m³/hr 10.真空度：10⁻³torr 11.流量计：3台，量程40cc/min-400cc/min，精度4%FS
规格	尺寸：炉体760mm×330mm×530mm，真空搅拌系统：600mm×600mm×597mm；重量：45公斤
可选配件	耐腐蚀数字真空计