OTF-1200X-S-HPCVD 用于HPCVD的1200C内行程机构管式炉

温度控制

•通过固态继电器进行PID自动控制，可编程30步

•内置过热和热电偶故障保护

•+/-1°C精度

•K型热电偶

•加热区长度：200毫米（8英寸）

•恒温区：60毫米（1000°C时+/-1°C）

真空密封

•2英寸快速夹紧法兰，带1/4英寸配件、真空计以及右侧的针阀。

•右侧法兰连接到不锈钢波纹管，可拉伸至150毫米。

•左法兰，带快速夹紧KF25真空端口和1/4英寸倒钩排气阀。

•最大真空度：机械泵10E-2torr，涡轮泵10-E5torr。

内部行走机构和

PLC控制面板

•一个1/4“直径x 24”长的K型热电偶通过右侧法兰插入，以支撑腔室中的迷你坩埚舟。•步进电机（24VDC，100W）将管内的坩埚从加热中心驱动到炉子的右端，最大L100 mm，气密

•触摸屏面板允许控制行程距离和坩埚位置的温度显示）

•行驶速度恒定在180mm/min。（可根据要求提供变速控制，但需额外付费）

•热电偶上安装了一个50x20x20mm的迷你坩埚舟（约20ml）。

•晶片的AIN样品架或石墨平面基板架可应要求提供，将收取额外的定制费。

最大加热和冷却速率

通过将样品移入预热的热区并将样品移出热区，可以实现最大的加热和冷却速率。典型的升温/冷却速率如下：

加热速率：

10°C/秒（150°C-250°C）；

7°C/秒（250°C-350°C）；

4°C/秒（350°C-500°C）；

3°C/秒（500°C-550°C）；

2°C/秒（550°C-650°C）；

1°C/秒（650°C-800°C）；

0.5°C/秒（800°C-1000°C）；

冷却速率：

10°C/秒（950°C-900°C）；

7°C/秒（900°C-850°C）；

4°C/秒（850°C-750°C）；

2°C/秒（750°C-600°C）；

1.5°C/sec（600°C-500°C）；

1°C/秒（500°C-400°C）；

0.5°C/秒（400°C-300°C）；

提示

这种多功能炉适用于以下应用：

RTE：将装有蒸发材料的坩埚放置在炉子的中心，并将样品架移动到沉积发生的适当温度的下游位置。

HPCVD：与RTE类似的设置，我们还引入反应气体与蒸发蒸汽混合并进行沉积

水平布里奇曼晶体生长：将材料和晶种装入坩埚中，并将其放置在炉的中心。以所需的速度移动坩埚，在适当的热梯度下生长单晶。

如果您有任何问题或建议，请在购买前与我们联系

在CVD之后，石墨烯必须从金属催化剂转移到另一个基材上，以用于大多数应用。通过使用石墨烯转移带，残留物可以很低

对于水平定向结晶（HDC），您可以使用下图中的气体馈通：

尺寸: 

一年有限制造商保修（加工管、O型圈和加热元件等易损件不在保修范围内，请在相关产品处订购更换件）。