平行板电容式PECVD

产品名称：平行板电容PECVD系统

产品描述：平行板电容PECVD是一种使用等离子体激活反应气体的技术，促进基板表面或近表面区域的化学反应以产生固体薄膜。

该系统是一种单室等离子体增强化学气相沉积（PECVD）开发工具，专为使用CVD方法生长纳米线或制造各种薄膜而设计，是一种新的探索仪器。

产品描述

等离子体化学气相沉积（PECVD）技术的基本原理是，在高频或直流电场的影响下，源气体被电离形成等离子体。

这种低温等离子体用作能源，允许引入适量的反应气体。通过利用等离子体放电，反应气体被激活以实现化学气相沉积。

产品特征

1.该系统采用单室结构，配备手动前开门。

2.薄膜沉积在高真空环境中进行。

3.腔室由不锈钢制成。

4.样品台是可旋转的。

产品参数

名称	用于等离子体增强薄膜沉积的单室平行板电容PECVD系统
安装要求	1.环境温度：10℃至35℃ 2.相对湿度：不大于75% 3.电源：220V，单相，50±0.5Hz 4.设备功率：4KW以下 5.供水：水压0.2MPa至0.4MPa，水温15℃至25℃ 6.设备周围环境应清洁，空气清新，不应含有可能导致电气元件或金属表面腐蚀，或导致金属之间导电的灰尘或气体。
主要参数	1.该系统采用单室圆柱形结构，带有手动前开门。 2.真空室的所有部件和配套零件均由优质不锈钢（304）制成，氩弧焊，表面经过玻璃珠喷砂和电化学抛光处理。它包括一个带百叶窗的可见观察窗，真空室尺寸为Φ300mm×300mm。 3.极限真空：8.0×10^-5 Pa（脱气后使用600L/S分子泵，4L/S背压泵实现）； -系统真空泄漏率：≤5.0×10^-7 Pa·L/S； -该系统可在40分钟内从大气压达到8.0×10-4Pa的真空；停泵12小时后，真空度≤20Pa。 4.该系统采用电容耦合方法引入气体，样品位于下方，喷头位于上方。 5.最高样品加热温度：500℃，温度控制精度为±1°C，使用温度控制仪表进行调节。 6.喷头尺寸：Φ90mm，喷头与样品之间的电极间隙可调15-50mm（可根据工艺要求在线连续调节），配有刻度指数显示器。 7.工作沉积真空度：13.3-133Pa（可根据工艺要求调节）。 8.射频电源：频率13.56MHz，最大功率300W，全自动匹配。 9.气体类型（由用户提供）；标准配置包括两个100 SCCM质量流量控制器，用户可以根据工艺需求修改气体管线配置。 10.废气处理系统（由用户提供）
规格